High performance 0.25 µm SiGe and SiGe:C HBT's using non selective epitaxy - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2001

High performance 0.25 µm SiGe and SiGe:C HBT's using non selective epitaxy

H. Baudry
  • Fonction : Auteur
B. Martinet
  • Fonction : Auteur
C. Fellous
  • Fonction : Auteur
O. Kemarrec
  • Fonction : Auteur
Y. Campidelli
  • Fonction : Auteur
M. Laurens
  • Fonction : Auteur
M. Marty
  • Fonction : Auteur
J. Mourier
  • Fonction : Auteur
A. Monroy
  • Fonction : Auteur
D. Dutartre
A. Chantre
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00494523 , version 1 (23-06-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00494523 , version 1

Citer

H. Baudry, B. Martinet, C. Fellous, O. Kemarrec, Y. Campidelli, et al.. High performance 0.25 µm SiGe and SiGe:C HBT's using non selective epitaxy. ESSDERC 2001, 2001, Ireland. ⟨hal-00494523⟩
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