Plasma cryogenic etching : benefits of cooling the substrate at a low temperature in etching process technologies - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03539474 , version 1 (21-01-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03539474 , version 1

Citer

Remi Dussart, Thomas Tillocher, Gaelle Antoun, Jack Nos, Philippe Lefaucheux, et al.. Plasma cryogenic etching : benefits of cooling the substrate at a low temperature in etching process technologies. 42nd International Symposium on Dry Process, Nov 2021, Online, Japan. ⟨hal-03539474⟩
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