High-Performance Ultrathin Body c-SiGe Channel FDSOI pMOSFETs Featuring SiGe Source and Drain: Vth Tuning, Variability, Access Resistance, and Mobility Issues - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2013

High-Performance Ultrathin Body c-SiGe Channel FDSOI pMOSFETs Featuring SiGe Source and Drain: Vth Tuning, Variability, Access Resistance, and Mobility Issues

J. Mazurier
  • Fonction : Auteur
B. Previtali
  • Fonction : Auteur
P. Perreau
  • Fonction : Auteur
J.M. Hartmann
  • Fonction : Auteur
P. Scheiblin
  • Fonction : Auteur
F. Allain
  • Fonction : Auteur
O. Weber
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00994552 , version 1 (21-05-2014)

Identifiants

Citer

A. Villalon, C. Le Royer, S. Cristoloveanu, M. Casse, D. Cooper, et al.. High-Performance Ultrathin Body c-SiGe Channel FDSOI pMOSFETs Featuring SiGe Source and Drain: Vth Tuning, Variability, Access Resistance, and Mobility Issues. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (5), pp.1568-1574. ⟨10.1109/TED.2013.2255055⟩. ⟨hal-00994552⟩
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