Role of H2 plasma in PE-MOCVD of GeTe materials for Phase Change Memory Applications - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies
Communication Dans Un Congrès Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00669530 , version 1 (13-02-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00669530 , version 1

Citer

L. Dussault, Corentin Vallée, E. Gourvest, D. Jourde, S. Maitrejean, et al.. Role of H2 plasma in PE-MOCVD of GeTe materials for Phase Change Memory Applications. MAM 2012, Mar 2012, Grenoble, France. ⟨hal-00669530⟩
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