Influence of Nitrogen Doping on Phase-Change Behaviour of GeTe for Embedded PCRAM Applications - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Influence of Nitrogen Doping on Phase-Change Behaviour of GeTe for Embedded PCRAM Applications

A. Fantini
  • Fonction : Auteur
J.C. Bastien
  • Fonction : Auteur
A. Bastard
  • Fonction : Auteur
S. Loubriat
  • Fonction : Auteur
L. Perniola
  • Fonction : Auteur
A. Roule
  • Fonction : Auteur
S. Maitrejean
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00625275 , version 1 (21-09-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00625275 , version 1

Citer

E. Gourvest, A. Fantini, J.C. Bastien, A. Bastard, S. Loubriat, et al.. Influence of Nitrogen Doping on Phase-Change Behaviour of GeTe for Embedded PCRAM Applications. MAM 2010, 2010, Mechelen, Belgium. ⟨hal-00625275⟩
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