Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00625206
Soumis le : mercredi 21 septembre 2011-10:01:27
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:14
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00625206 , version 1
Citer
P. Gonon, C. Vallee, V. Jousseaume, Y. Bernard, C. Mannequin, et al.. Comparing the switching characteristics of two resistive RAM technologies: Cu-SiO2 Conductive-Bridging-RAMs and HfO2 Oxide-RAMs. Proc. 10th IEEE Int. Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010, Shanghai, China. ⟨hal-00625206⟩
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