Impact of hot carrier stress on small signal MOSFET RF parameters - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604565 , version 1 (29-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604565 , version 1

Citer

L. Negre, Daniel Roy, S. Boret, P. Scheer, N. Kauffmann, et al.. Impact of hot carrier stress on small signal MOSFET RF parameters. IEEE Integrated Reliability Workshop IRW 2010, 2010, Lake Tahoe, United States. ⟨hal-00604565⟩
143 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More