Detection of defects on EUV lithography mask by dark field microscopy at 13.1 nm - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Detection of defects on EUV lithography mask by dark field microscopy at 13.1 nm

C. Vannuffel
  • Fonction : Auteur
E. Quesnel
  • Fonction : Auteur
V. Muffato
  • Fonction : Auteur
P. Besson
  • Fonction : Auteur
M. Idir
  • Fonction : Auteur
M. Bertolo
  • Fonction : Auteur
A. Bianco
  • Fonction : Auteur
S. La Rosa
  • Fonction : Auteur
F. Polack
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00486213 , version 1 (25-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00486213 , version 1

Citer

V. Farys, C. Vannuffel, E. Quesnel, V. Muffato, P. Besson, et al.. Detection of defects on EUV lithography mask by dark field microscopy at 13.1 nm. 7th International Conference on X-Ray Microscopy, XRM, 2002, grenoble, France. ⟨hal-00486213⟩
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