High-K and metal-gate pMOSFETs on GeOI obtained by Ge enrichment: analysis of ON and OFF performances
C. Le Royer
,
B. Vincent
,
L. Clavelier
,
J.F. Damlencourt
,
C. Tabone
,
P. Batude
,
D. Blachier
,
R. Truche
,
Y. Campidelli
(1)
,
Q.T. Nguyen
,
S. Cristoloveanu
(2)
,
S. Soliveres
,
G. Le Carval
,
F. Boulanger
,
T. Billon
,
D. Bensahel
(1)
,
S. Deleonibus
C. Le Royer
- Fonction : Auteur
B. Vincent
- Fonction : Auteur
- PersonId : 18280
- IdHAL : benjamin-vincent
- ORCID : 0000-0001-5420-6002
L. Clavelier
- Fonction : Auteur
J.F. Damlencourt
- Fonction : Auteur
C. Tabone
- Fonction : Auteur
P. Batude
- Fonction : Auteur
D. Blachier
- Fonction : Auteur
R. Truche
- Fonction : Auteur
Q.T. Nguyen
- Fonction : Auteur
S. Cristoloveanu
- Fonction : Auteur
- PersonId : 172108
- IdHAL : sorin-cristoloveanu
- ORCID : 0000-0002-3576-5586
- IdRef : 030493188
S. Soliveres
- Fonction : Auteur
G. Le Carval
- Fonction : Auteur
F. Boulanger
- Fonction : Auteur
T. Billon
- Fonction : Auteur
S. Deleonibus
- Fonction : Auteur