High-K and metal-gate pMOSFETs on GeOI obtained by Ge enrichment: analysis of ON and OFF performances - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2008

High-K and metal-gate pMOSFETs on GeOI obtained by Ge enrichment: analysis of ON and OFF performances

C. Le Royer
  • Fonction : Auteur
B. Vincent
L. Clavelier
  • Fonction : Auteur
J.F. Damlencourt
  • Fonction : Auteur
C. Tabone
  • Fonction : Auteur
P. Batude
  • Fonction : Auteur
D. Blachier
  • Fonction : Auteur
R. Truche
  • Fonction : Auteur
Q.T. Nguyen
  • Fonction : Auteur
S. Soliveres
  • Fonction : Auteur
G. Le Carval
  • Fonction : Auteur
F. Boulanger
  • Fonction : Auteur
T. Billon
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391663 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391663 , version 1

Citer

C. Le Royer, B. Vincent, L. Clavelier, J.F. Damlencourt, C. Tabone, et al.. High-K and metal-gate pMOSFETs on GeOI obtained by Ge enrichment: analysis of ON and OFF performances. IEEE Electron Device Letters, 2008, 29 (6, 635-637). ⟨hal-00391663⟩
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