[Invited] Next generation of GaN-on-Silicon power devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Dates et versions

hal-03287820 , version 1 (15-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03287820 , version 1

Citer

Idriss Abid, Riad Kabouche, Malek Zegaoui, F Medjdoub. [Invited] Next generation of GaN-on-Silicon power devices. 4th IEEE International Conference on Emerging Electronics, Dec 2018, Bengaluru, India. ⟨hal-03287820⟩
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