[Invited] Next generation of GaN-on-Silicon power devices
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Sciences de l'ingénieur [physics]| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
Farid Medjdoub : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03287820
Soumis le : jeudi 15 juillet 2021-21:20:07
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03287820 , version 1
Citer
Idriss Abid, Riad Kabouche, Malek Zegaoui, F Medjdoub. [Invited] Next generation of GaN-on-Silicon power devices. 4th IEEE International Conference on Emerging Electronics, Dec 2018, Bengaluru, India. ⟨hal-03287820⟩
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