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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

GaN-based transistors using buffer-free heterostructures for next generation RF devices

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-02356908 , version 1 (09-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02356908 , version 1

Citer

Romain Pécheux, Riad Kabouche, Malek Zegaoui, J T Chen, O Kordina, et al.. GaN-based transistors using buffer-free heterostructures for next generation RF devices. 9th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop, Oct 2018, Harwell, Ireland. ⟨hal-02356908⟩
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