GaN-based transistors using buffer-free heterostructures for next generation RF devices - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

GaN-based transistors using buffer-free heterostructures for next generation RF devices

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Fichier principal
Vignette du fichier
ESA full paper.pdf (876.93 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02356908

Soumis le : samedi 9 novembre 2019-10:46:56

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

Archivage à long terme le : lundi 10 février 2020-15:16:46

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-02356908 , version 1 (09-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02356908 , version 1

Citer

Romain Pécheux, Riad Kabouche, Malek Zegaoui, J T Chen, O Kordina, et al.. GaN-based transistors using buffer-free heterostructures for next generation RF devices. 9th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop, Oct 2018, Harwell, Ireland. ⟨hal-02356908⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
29 Consultations
184 Téléchargements

Partager

More