Study of the Breakdown Voltage of Protected or Non-Protected 6H-SiC Bipolar Diodes by OBIC Characterisation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2000

Study of the Breakdown Voltage of Protected or Non-Protected 6H-SiC Bipolar Diodes by OBIC Characterisation

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hal-02281030 , version 1 (07-09-2019)

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Citer

Karine Isoird, Laurent Ottaviani, Marie-Laure Locatelli, Dominique Planson, Christophe Raynaud, et al.. Study of the Breakdown Voltage of Protected or Non-Protected 6H-SiC Bipolar Diodes by OBIC Characterisation. Materials Science Forum, 2000, 338-342, pp.1363-1366. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.1363⟩. ⟨hal-02281030⟩
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