Introducing 10-nm FinFET technology in Microwind - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Autre Publication Scientifique Année : 2017

Introducing 10-nm FinFET technology in Microwind

Introduction de la technologie 10-nm FinFET Dans Microwind

Résumé

This paper describes the implementation of a high performance FinFET-based 10-nm CMOS Technology in the educational tool Microwind. New concepts related to the design of FinFET and design for manufacturing are also described. The performances of a ring oscillator layout and a 6-transistor RAM memory layout are also analyzed.
Cet article décrit la mise en place d'une technologie CMOS 10 nm haute performance FinFET dans l'outil éducatif Microwind. Des concepts liés à la conception des transistors FinFET et à la conception pour faciliter la fabrication sont également décrits. Les performances d'un oscillateur en anneau et d'une structure de mémoire RAM à 6 transistors sont également analysées.
Fichier principal
Vignette du fichier
Appl Note 10nm - v5.pdf (1.18 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Loading...

Dates et versions

hal-01551695 , version 1 (30-06-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01551695 , version 1

Citer

Etienne Sicard. Introducing 10-nm FinFET technology in Microwind. 2017. ⟨hal-01551695⟩
224 Consultations
4214 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More