Perturbations électromagnétiques conduites d'un bras d'onduleur à base de transistors en Nitrure de Galium: Structure « 3D » pour composants horizontaux - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Perturbations électromagnétiques conduites d'un bras d'onduleur à base de transistors en Nitrure de Galium: Structure « 3D » pour composants horizontaux

Résumé

Dans cet article une structure ‘‘3D'' à base de composant GaN est présentée. Sa réalisation proche des structures ‘‘3D'' existantes pour les composants Silicium tel que le concept PCoC donne la perspective de bénéficier des mêmes avantages vis à vis des perturbations électromagnétiques en mode conduit. C'est ce qui est vérifié dans cet article en comparant la structure ‘‘3D'' avec une réalisation d'une structure ‘‘2D''optimisée pour composant GaN.
Fichier principal
Vignette du fichier
Final_SGE_Clement_FITA_1.pdf (2.71 Mo) Télécharger le fichier
SGE_2016_Clement_FITA.pdf (211.92 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Loading...

Dates et versions

hal-01361586 , version 1 (07-09-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01361586 , version 1

Citer

Clement Fita, Pierre Lefranc, Pierre-Olivier Jeannin, Edith Clavel, Johan Delaine. Perturbations électromagnétiques conduites d'un bras d'onduleur à base de transistors en Nitrure de Galium: Structure « 3D » pour composants horizontaux. Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361586⟩

Collections

UGA CNRS G2ELAB
124 Consultations
366 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More