Perturbations électromagnétiques conduites d'un bras d'onduleur à base de transistors en Nitrure de Galium: Structure « 3D » pour composants horizontaux
Résumé
Dans cet article une structure ‘‘3D'' à base de composant GaN est présentée. Sa réalisation proche des structures ‘‘3D'' existantes pour les composants Silicium tel que le concept PCoC donne la perspective de bénéficier des mêmes avantages vis à vis des perturbations électromagnétiques en mode conduit. C'est ce qui est vérifié dans cet article en comparant la structure ‘‘3D'' avec une réalisation d'une structure ‘‘2D''optimisée pour composant GaN.
Domaines
Sciences de l'ingénieur [physics]
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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