Composition profiles in InP/InAsP quantum well structures under the effect of reactives gases during dry etching processes — Luminescence and SIMS - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Composition profiles in InP/InAsP quantum well structures under the effect of reactives gases during dry etching processes — Luminescence and SIMS

Jean-Pierre Landesman
Institut de Physique de Rennes
José Jimenez
  • Fonction : Auteur
V. Hortelano
  • Fonction : Auteur
Yoan Léger
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Herve Folliot
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Thomas Delhaye
Institut des Sciences Chimiques de Rennes
Alfredo Torres
  • Fonction : Auteur
A. Rhallabi
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 921185
Institut des Matériaux Jean Rouxel

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Yoan Léger  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01132900

Soumis le : mercredi 18 mars 2015-11:02:24

Dernière modification le : jeudi 17 octobre 2024-11:46:04

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Dates et versions

hal-01132900 , version 1 (18-03-2015)

Identifiants

Citer

Jean-Pierre Landesman, José Jimenez, V. Hortelano, Yoan Léger, Herve Folliot, et al.. Composition profiles in InP/InAsP quantum well structures under the effect of reactives gases during dry etching processes — Luminescence and SIMS. 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2014), May 2014, Montpellier, France. pp.P7, ⟨10.1109/ICIPRM.2014.6880554⟩. ⟨hal-01132900⟩

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