Electric Pulse Induced Resistive Switching in the Narrow Gap Mott Insulator GaMo<sub>4</sub>S<sub>8</sub> - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Key Engineering Materials Année : 2014

Electric Pulse Induced Resistive Switching in the Narrow Gap Mott Insulator GaMo4S8

Madec Querré
  • Fonction : Auteur
Benoît Corraze
  • Fonction : Auteur
Institut des Matériaux Jean Rouxel
Etienne Janod
Institut des Matériaux Jean Rouxel
Marie-Paule Besland
Institut des Matériaux Jean Rouxel
Julien Tranchant
Institut des Matériaux Jean Rouxel
Michel Potel
  • Fonction : Auteur
Institut des Sciences Chimiques de Rennes
Stéphane Cordier
Institut des Sciences Chimiques de Rennes
Valérie Bouquet
  • Fonction : Auteur
Institut des Sciences Chimiques de Rennes
Maryline Guilloux-Viry
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 848832
Institut des Sciences Chimiques de Rennes
Laurent Cario
Institut des Matériaux Jean Rouxel

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Chimie inorganique

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https://hal.science/hal-01082726

Soumis le : vendredi 14 novembre 2014-11:11:32

Dernière modification le : jeudi 17 octobre 2024-11:46:04

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hal-01082726 , version 1 (14-11-2014)

Identifiants

Citer

Madec Querré, Benoît Corraze, Etienne Janod, Marie-Paule Besland, Julien Tranchant, et al.. Electric Pulse Induced Resistive Switching in the Narrow Gap Mott Insulator GaMo4S8. Key Engineering Materials, 2014, 617, pp.135-140. ⟨10.4028/www.scientific.net/KEM.617.135⟩. ⟨hal-01082726⟩

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