Article Dans Une Revue
Journal of Alloys and Compounds
Année : 2004
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https://hal.science/hal-00140977
Soumis le : mercredi 11 avril 2007-10:30:57
Dernière modification le : mercredi 1 mai 2024-03:42:55
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00140977 , version 1
Citer
A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, G. Larrieu, Emmanuel Dubois, et al.. Transmission electron microscopy of iridium silicide contacts for advanced MOSFET structures with Schottky source and drain. Journal of Alloys and Compounds, 2004, 382, pp.24-28. ⟨hal-00140977⟩
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