Réalisation de contact ohmique sur SiC-4H type P
Résumé
La miniaturisation des composants, leur intégration, sont aujourd'hui des axes forts de
recherche en électronique de puissance. Durant les trois décennies passées, de nouveaux composants
à base de semiconducteurs à large bande interdite sont apparus dans le domaine des applications de
puissance, de l’industrie d’automobile, de l’aéronautique, des forages pétroliers….
La croissance des besoins en performance des composants conduit à atteindre de plus en plus les
limites physiques du semiconducteur le plus courant, le silicium. De plus en plus, les niveaux de
température et de tension rendent extrêmes les conditions d’utilisation des composants. Il faut alors
envisager des solutions alternatives au silicium, comme les matériaux semiconducteurs à large bande
interdite dont fait parti le carbure de silicium (SiC). Tous les composants à base de carbure de
silicium ont une propriété commune qui les rend extrêmement intéressants du point de vue de
l’électronique de puissance de par leur capacité à pouvoir opérer à haute température et sous forte
tension inverse. Les technologies SiC sont donc appelées à jouer un rôle majeur au cours des années
à venir. Pour atteindre ce but, il est devenu nécessaire de maitriser toutes les étapes de mise en forme
du matériau et des composants.
Dans ce papier, nous développons une étape cruciale pour la fabrication des composants SiC basée
sur la maîtrise du contact ohmique de type-P.
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