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Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Réalisation de contact ohmique sur SiC-4H type P

Résumé

La miniaturisation des composants, leur intégration, sont aujourd'hui des axes forts de recherche en électronique de puissance. Durant les trois décennies passées, de nouveaux composants à base de semiconducteurs à large bande interdite sont apparus dans le domaine des applications de puissance, de l’industrie d’automobile, de l’aéronautique, des forages pétroliers…. La croissance des besoins en performance des composants conduit à atteindre de plus en plus les limites physiques du semiconducteur le plus courant, le silicium. De plus en plus, les niveaux de température et de tension rendent extrêmes les conditions d’utilisation des composants. Il faut alors envisager des solutions alternatives au silicium, comme les matériaux semiconducteurs à large bande interdite dont fait parti le carbure de silicium (SiC). Tous les composants à base de carbure de silicium ont une propriété commune qui les rend extrêmement intéressants du point de vue de l’électronique de puissance de par leur capacité à pouvoir opérer à haute température et sous forte tension inverse. Les technologies SiC sont donc appelées à jouer un rôle majeur au cours des années à venir. Pour atteindre ce but, il est devenu nécessaire de maitriser toutes les étapes de mise en forme du matériau et des composants. Dans ce papier, nous développons une étape cruciale pour la fabrication des composants SiC basée sur la maîtrise du contact ohmique de type-P.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04560246 , version 1 (26-04-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04560246 , version 1

Citer

Farah Laariedh, Mihai Lazar, Pierre Cremillieu, Jean -Louis Leclercq, Dominique Planson. Réalisation de contact ohmique sur SiC-4H type P. JNRDM2011, May 2011, Paris, France. ⟨hal-04560246⟩
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