Remote carrier trapping in FinFETs with ONO buried oxide : temperature effects - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2013

Dates et versions

hal-01019931 , version 1 (07-07-2014)

Identifiants

Citer

S.J. Chang, M. Bawedin, W. Xiong, J.H. Lee, S. Cristoloveanu. Remote carrier trapping in FinFETs with ONO buried oxide : temperature effects. Microelectronics Reliability, 2013, 53 (Issue3), pp.386-393. ⟨10.1016/j.microrel.2012.10.002⟩. ⟨hal-01019931⟩
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