Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01019931
Soumis le : lundi 7 juillet 2014-15:09:09
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:22:10
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01019931 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2012.10.002
Citer
S.J. Chang, M. Bawedin, W. Xiong, J.H. Lee, S. Cristoloveanu. Remote carrier trapping in FinFETs with ONO buried oxide : temperature effects. Microelectronics Reliability, 2013, 53 (Issue3), pp.386-393. ⟨10.1016/j.microrel.2012.10.002⟩. ⟨hal-01019931⟩
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