Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01017492
Soumis le : mercredi 2 juillet 2014-15:58:27
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:05:07
Citer
M. G. Pala, D. Esseni. Interface Traps in InAs Nanowire Tunnel-FETs and MOSFETs --Part I: Model Description and Single Trap Analysis in Tunnel-FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (9), pp.2795-2801. ⟨10.1109/ted.2013.2274196⟩. ⟨hal-01017492⟩
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