Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01002162
Soumis le : jeudi 5 juin 2014-16:49:06
Dernière modification le : mercredi 11 septembre 2024-10:52:50
Citer
J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, S. Cristoloveanu. Progress in Z(2)-FET 1T-DRAM: Retention time, writing modes, selective array operation, and dual bit storage. Solid-State Electronics, 2013, 84, pp.147-154. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.010⟩. ⟨hal-01002162⟩
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