Progress in Z(2)-FET 1T-DRAM: Retention time, writing modes, selective array operation, and dual bit storage - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2013

Dates et versions

hal-01002162 , version 1 (05-06-2014)

Identifiants

Citer

J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, S. Cristoloveanu. Progress in Z(2)-FET 1T-DRAM: Retention time, writing modes, selective array operation, and dual bit storage. Solid-State Electronics, 2013, 84, pp.147-154. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.010⟩. ⟨hal-01002162⟩
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