Capacitance-voltage characterization of surface-treated Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor structures - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2013

Dates et versions

hal-00996410 , version 1 (26-05-2014)

Identifiants

Citer

S.B. Bae, K.W. Kim, Y.S. Lee, J.H. Lee, Y. Bae, et al.. Capacitance-voltage characterization of surface-treated Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor structures. Microelectronic Engineering, 2013, 109, pp.10-12. ⟨10.1016/j.mee.2013.03.108⟩. ⟨hal-00996410⟩
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