Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00996410
Soumis le : lundi 26 mai 2014-15:02:26
Dernière modification le : mercredi 11 septembre 2024-10:52:50
Citer
S.B. Bae, K.W. Kim, Y.S. Lee, J.H. Lee, Y. Bae, et al.. Capacitance-voltage characterization of surface-treated Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor structures. Microelectronic Engineering, 2013, 109, pp.10-12. ⟨10.1016/j.mee.2013.03.108⟩. ⟨hal-00996410⟩
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