High-performance GaN-based nanochannel FinFETs with/without AlGaN/GaN heterostructure - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2013
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Dates et versions

hal-00994549 , version 1 (21-05-2014)

Identifiants

Citer

K.-S. Im, C.-H. Won, Y.-W. Jo, J.-H. Lee, M. Bawedin, et al.. High-performance GaN-based nanochannel FinFETs with/without AlGaN/GaN heterostructure. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (10), pp.3012-3018. ⟨10.1109/TED.2013.2274660⟩. ⟨hal-00994549⟩
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