Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00994549
Soumis le : mercredi 21 mai 2014-16:10:42
Dernière modification le : mercredi 11 septembre 2024-10:52:32
Citer
K.-S. Im, C.-H. Won, Y.-W. Jo, J.-H. Lee, M. Bawedin, et al.. High-performance GaN-based nanochannel FinFETs with/without AlGaN/GaN heterostructure. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (10), pp.3012-3018. ⟨10.1109/TED.2013.2274660⟩. ⟨hal-00994549⟩
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