Patterning of GexSbxTey for non volatile phase-change memory applications - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Patterning of GexSbxTey for non volatile phase-change memory applications

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00669521 , version 1 (13-02-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00669521 , version 1

Citer

B. Salhi, T. Chevolleau, C. Vizioz, C. Jahan, S. Maitrejean, et al.. Patterning of GexSbxTey for non volatile phase-change memory applications. PESM 2012, Mar 2012, Grenoble, France. ⟨hal-00669521⟩
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