Pseudo-MOSFET substrate effects of drain current hysteresis and transient nehavior - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596088 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596088 , version 1

Citer

P. Kihoon, P. Nayak, S. Cristoloveanu, D.K. Schroder. Pseudo-MOSFET substrate effects of drain current hysteresis and transient nehavior. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56 (6), pp.1269-1276. ⟨hal-00596088⟩
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