Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596088
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-14:47:48
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:35
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596088 , version 1
Citer
P. Kihoon, P. Nayak, S. Cristoloveanu, D.K. Schroder. Pseudo-MOSFET substrate effects of drain current hysteresis and transient nehavior. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56 (6), pp.1269-1276. ⟨hal-00596088⟩
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