Article Dans Une Revue
Journ. Appl. Phys
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00393059
Soumis le : mardi 9 juin 2009-14:13:51
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:35
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00393059 , version 1
Citer
G. Hamaide, F. Allibert, H. Hovel, S. Cristoloveanu. Impact of free surface passivation on silicon on insulator buried interface properties by pseudotransistor characterization. Journ. Appl. Phys, 2007, 101 (11), pp.114513:1-6. ⟨hal-00393059⟩
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