CMOS High Resistivity SOI: a promising technology for the integration of millimeter wave applications on silicon - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

CMOS High Resistivity SOI: a promising technology for the integration of millimeter wave applications on silicon

F. Gianesello
  • Fonction : Auteur
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
C. Raynaud
C. Tinella
  • Fonction : Auteur
P. Vincent
  • Fonction : Auteur
F. Saguin
  • Fonction : Auteur
S. Boret
  • Fonction : Auteur
C. Clement
  • Fonction : Auteur
B. Van-Haaren
  • Fonction : Auteur
Gilles Dambrine
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147927 , version 1 (21-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147927 , version 1

Citer

F. Gianesello, D. Gloria, C. Raynaud, C. Tinella, P. Vincent, et al.. CMOS High Resistivity SOI: a promising technology for the integration of millimeter wave applications on silicon. International Joint Millimetre Wave Conference, 2006, Grenoble, Finland. pp.XX. ⟨hal-00147927⟩

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