Low Frequency Noise Performance in TiN/HfO2 Fully Depleted SOI nMOSFET - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Low Frequency Noise Performance in TiN/HfO2 Fully Depleted SOI nMOSFET

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147154 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147154 , version 1

Citer

L. Zafari, J. Jomaah, G. Ghibaudo, O. Faynot. Low Frequency Noise Performance in TiN/HfO2 Fully Depleted SOI nMOSFET. IEEE Int. SOI Conference, 2006, USA, United States. pp.XX. ⟨hal-00147154⟩

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