Correlation of Pseudo-MOS transistor and Hall effect measurements in thin SOI wafers - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Correlation of Pseudo-MOS transistor and Hall effect measurements in thin SOI wafers

Q.T. Nguyen
  • Fonction : Auteur
J. Antoszewski
  • Fonction : Auteur
L. Faraone
  • Fonction : Auteur
N. Bresson
  • Fonction : Auteur
P. Gentil
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146925 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146925 , version 1

Citer

Q.T. Nguyen, J. Antoszewski, L. Faraone, N. Bresson, P. Gentil, et al.. Correlation of Pseudo-MOS transistor and Hall effect measurements in thin SOI wafers. Com. a 2006 Conf. on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices COMMAD.06), Short Course on Nanoelectronics, 2006, Grenoble, France. pp.XX. ⟨hal-00146925⟩

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