Impact of process-induced strain in very short SOI PMOSFETs - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Impact of process-induced strain in very short SOI PMOSFETs

S. Zaouia
  • Fonction : Auteur
C. Boccaccio
  • Fonction : Auteur
M. Sureddin
  • Fonction : Auteur
A.H. Perera
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146919 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146919 , version 1

Citer

S. Zaouia, C. Boccaccio, M. Sureddin, A.H. Perera, S. Cristoloveanu. Impact of process-induced strain in very short SOI PMOSFETs. Com. a NATO Advanced Research Workshop on Nanoscaled Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices, 2006, Grenoble, France. pp.XX. ⟨hal-00146919⟩

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