Novel capacitor-less 1T-DRAM using MSD effect - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Novel capacitor-less 1T-DRAM using MSD effect

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146916 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146916 , version 1

Citer

M. Bawedin, S. Cristoloveanu, D. Flandre. Novel capacitor-less 1T-DRAM using MSD effect. Com. a 2006 IEEE Int. SOI Conf, 2006, Grenoble, France. pp.XX. ⟨hal-00146916⟩

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