Caractérisation et Simulation des Transistors MOS sous Stress Electrique et Thermique - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Hdr Année : 2007

Characterization and simulation of power MOS transistors under electrical and thermal stresses

Caractérisation et Simulation des Transistors MOS sous Stress Electrique et Thermique

Résumé

Ce manuscrit présente une synthèse de mes travaux de recherche, d’investigation, d’animation et de valorisation, réalisés de 1996 à 2007, suite à ma thèse de doctorat en 1994 à Toulouse (Université Paul Sabatier -Toulouse III). Dans le cadre de collaborations scientifiques, les travaux présentés ont été menés conjointement avec les laboratoires : LAAS/CNRS, CLOES-MOPS (université de Metz), et LEMI (université de Rouen).
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Dates et versions

tel-04620434 , version 1 (21-06-2024)

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Identifiants

  • HAL Id : tel-04620434 , version 1

Citer

B. Beydoun. Caractérisation et Simulation des Transistors MOS sous Stress Electrique et Thermique. Sciences de l'ingénieur [physics]. Université Paul Sabatier (Toulouse 3), 2007. ⟨tel-04620434⟩

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