Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C. A. O. Non linéaire des circuits monolithiques microondes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Thèse Année : 1996

Integration of a physical heterojunction bipolar transistor model in the environnement of nonlinear c. A. D for monolithic microwave circuits

Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C. A. O. Non linéaire des circuits monolithiques microondes

Raphaël Sommet

Résumé

This work present the Integration of a physical heterojunction bipolar transistor model in the environnement of nonlinear c. A. D for monolithic microwave circuits
Le travail présente dans ce memoire concerne le couplage entre un simulateur physique de transistor bipolaire a hétérojonction hetsi et un simulateur de circuit en équilibrage harmonique lisa. Ce memoire est divise en trois parties: la premiere est essentiellement axée sur la physique des composants. Elle établit les equations générales du transport des porteurs dans les semi-conducteurs et suivant les hypotheses choisies, les equations de derive diffusion et de transport d'énergie sont données. Compte tenu des impératifs d'un couplage de ces equations a un simulateur de circuits, une discrétisation et une resolution implicite des equations de la physique des semi-conducteurs sont développées. Des résultats concernant l'etude d'une structure de hbt avec un modele unidimensionnel sont examines. La seconde partie est dédiée quant a elle aux méthodes utilisables pour résoudre les equations des circuits micro-ondes. Les méthodes temporelles sont étudiées et comparées a la méthode de l'équilibrage harmonique. Il ressort un besoin reel d'utiliser la méthode de l'équilibrage harmonique pour résoudre les equations des circuits micro-ondes en regime périodique et en état établi. La troisième partie du memoire concerne l'integration des equations de la physique dans un simulateur physique en équilibrage harmonique. La construction sous forme modulaire des deux simulateurs est décrite ainsi qu'une méthode originale du calcul du jacobien implicite exact du système. Des résultats en classe a, b a 1. 8 ghz valident le couplage. Il est désormais possible a l'aide de ce nouvel outil d'envisager de concevoir ensemble la partie passive et active d'un circuit mmic

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

tel-02984557 , version 1 (31-10-2020)

Identifiants

  • HAL Id : tel-02984557 , version 1

Citer

Raphaël Sommet. Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C. A. O. Non linéaire des circuits monolithiques microondes. Electronique. Université de Limoges, 1996. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-02984557⟩
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