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Article Dans Une Revue Journal de Physique III Année : 1994

Méthodologie d'approche pour la conception des transistors VDMOS de puissance

B. Beydoun
Henri Tranduc
  • Fonction : Auteur
F. Oms
  • Fonction : Auteur
A. Peyre Lavigne
  • Fonction : Auteur
P. Rossel
  • Fonction : Auteur

Résumé

In this paper, a design method for Power MOSFET devices, based on the physical phenomena and electrical properties of the structure, is presented. This method is implemented in a software called Power MOSFET's Designer, which only needs three inputs : the layout (cells, design rules, chip area), the breakdown voltage and the technological family characteristics, to define the SPICE equivalent circuit of the transistor. It is well suited to the simulation of power electronics circuits. Application examples are given.

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Dates et versions

jpa-00249234 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

B. Beydoun, Henri Tranduc, F. Oms, A. Peyre Lavigne, P. Rossel. Méthodologie d'approche pour la conception des transistors VDMOS de puissance. Journal de Physique III, 1994, 4 (10), pp.1939-1955. ⟨10.1051/jp3:1994249⟩. ⟨jpa-00249234⟩

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