Qualité diélectrique de couches minces isolantes de GaN obtenues par pulvérisation cathodique réactive - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Revue de Physique Appliquée Année : 1990

Qualité diélectrique de couches minces isolantes de GaN obtenues par pulvérisation cathodique réactive

Régis Carin

Résumé

Les propriétés diélectriques de couches minces isolantes de GaN, obtenues à 150 °C par pulvérisation cathodique réactive, sont analysées à température ambiante avec, comme perspectives, la réalisation de structures MIS et la passivation de GaAs. La dispersion de l'indice optique est déterminée par spectrophotométrie. La permittivité, déduite de mesures capacitives, est ε r = 12,4 ± 0,5 dans le domaine 10^3-10^7 Hz ; elle présente une dispersion à plus basse fréquence. La conductivité, dominée par l'effet Poole-Frenkel, atteint 10^-13 Ω -1 cm-1 à faible champ. Le champ de claquage est de 1,5 MV cm-1. Une étude comparative de ces propriétés est menée simultanément pour des couches minces de AlN obtenues par le même procédé. Enfin sont analysées les limitations de l'emploi de GaN comme isolant dans des structures MIS.
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jpa-00246211 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

Régis Carin. Qualité diélectrique de couches minces isolantes de GaN obtenues par pulvérisation cathodique réactive. Revue de Physique Appliquée, 1990, 25 (6), pp.489-497. ⟨10.1051/rphysap:01990002506048900⟩. ⟨jpa-00246211⟩

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