Dimensionnement et performances potentielles des MISFET à hétérojonction - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Revue de Physique Appliquée Année : 1989

Dimensionnement et performances potentielles des MISFET à hétérojonction

P. Dollfus
M. Mouis
R. Castagné
  • Fonction : Auteur

Résumé

Afin d'éloigner les électrons de conduction des défauts de l'interface isolant/semi-conducteur caractéristiques des dispositifs de type MISFET, on peut interposer entre l'isolant et le canal un espaceur constitué d'un semi-conducteur à grand gap épitaxié en accord de maille sur la couche active ; c'est le MISFET à hétérojonction (HMISFET). Une étude préliminaire du comportement capacitif de diodes HMIS unidimensionnelles a permis de comparer les matériaux envisagés pour ce dispositif et d'évaluer l'influence de la géométrie de la structure et des états d'interface. Un HMISFET InAlAs/InGaAs à grille courte (lg =1,5 μm) a alors fait l'objet d'une simulation Monte-Carlo. Une transconductance élevée a été obtenue (gm > 250 mS/mm). Le faible peuplement des vallées L et X, même à tension de drain élevée, et l'absence de transfert spatial vers le matériau à grand gap montrent l'efficacité de l'espaceur InAlAs pour confiner les électrons dans la couche active InGaAs à mobilité élevée.
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Dates et versions

jpa-00246030 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

P. Dollfus, M. Mouis, R. Castagné. Dimensionnement et performances potentielles des MISFET à hétérojonction. Revue de Physique Appliquée, 1989, 24 (1), pp.65-69. ⟨10.1051/rphysap:0198900240106500⟩. ⟨jpa-00246030⟩

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