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Article Dans Une Revue Journal de Physique Colloques Année : 1989

EVOLUTIONS OF GRAIN BOUNDARY RECOMBINATION ACTIVITY IN POLYCRYSTALLINE SILICON INVESTIGATED BY LBIC MAPPING AND DLTS

M. Pasquinelli
N. M'Gaffad
  • Fonction : Auteur
H. Amanrich
  • Fonction : Auteur
S. Martinuzzi
  • Fonction : Auteur

Résumé

In large grained polycrystalline silicon, the recombination activity of grain boundaries (G.B.'s) is typically heterogeneous. This activity may be evaluated by the determination of interfacial recombination velocity S ; which is related to the presence of deep trap levels at G.B.'s.

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jpa-00229651 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

M. Pasquinelli, N. M'Gaffad, H. Amanrich, S. Martinuzzi. EVOLUTIONS OF GRAIN BOUNDARY RECOMBINATION ACTIVITY IN POLYCRYSTALLINE SILICON INVESTIGATED BY LBIC MAPPING AND DLTS. Journal de Physique Colloques, 1989, 50 (C6), pp.C6-160-C6-160. ⟨10.1051/jphyscol:1989620⟩. ⟨jpa-00229651⟩

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