RAMAN STUDY OF GEOMETRICAL DISORDER AT SEMICONDUCTORS SURFACES - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique Colloques Année : 1982

RAMAN STUDY OF GEOMETRICAL DISORDER AT SEMICONDUCTORS SURFACES

Robert Carles
J. Renucci
  • Fonction : Auteur
A. Zwick
  • Fonction : Auteur
M. Renucci
  • Fonction : Auteur

Résumé

Geometrical disorder is induced at the surface of samples by rough mechanical polishing. Its influence on both vibrational and electronic properties are reported in InSb, InAs and GaSb.

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Dates et versions

jpa-00222499 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

Robert Carles, J. Renucci, A. Zwick, M. Renucci. RAMAN STUDY OF GEOMETRICAL DISORDER AT SEMICONDUCTORS SURFACES. Journal de Physique Colloques, 1982, 43 (C9), pp.C9-363-C9-364. ⟨10.1051/jphyscol:1982970⟩. ⟨jpa-00222499⟩

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