Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2025
Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-05364789
Soumis le : vendredi 14 novembre 2025-10:52:47
Dernière modification le : samedi 15 novembre 2025-03:08:42
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-05364789 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2025.115947
Citer
Vaidehi Vijay Painter, Raphaël Sommet, Jean-Christophe Nallatamby, P. Vigneshwara Raja. Source-connected and gate-connected field-plate influence on thermal resistance of AlGaN/GaN HEMT with varying passivation thickness and field-plate length. Microelectronics Reliability, 2025, 175, pp.115947. ⟨10.1016/j.microrel.2025.115947⟩. ⟨hal-05364789⟩
41
Consultations
0
Téléchargements