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Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Repetitive Short-circuits on 650 V GaN

Résumé

The study consists in analyzing the robustness of 650 V GaN HEMT components in case of shortcircuits. The objective is to develop a test bench for repetitive short-circuits to a component. Electrical characterizations will be carried out before and after the short-circuit cycles to identify the possible parameters drift of the tested devices, to identify the failure mechanisms. Parametric variations have been observed.
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Dates et versions

hal-04626451 , version 1 (26-06-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04626451 , version 1

Citer

Adrien Lambert, Hervé Morel, Dominique Planson, Luong Viêt Phung, Dominique Tournier, et al.. Repetitive Short-circuits on 650 V GaN. PCIM Europe 2024, Jun 2024, Nuremberg, Germany. ⟨hal-04626451⟩
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