Diode PiN 6500V en SiC-4H - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Diode PiN 6500V en SiC-4H

Résumé

Des diodes PiN 6500V en SiC ont été réalisées chez IBS. Huit étapes de photolithographie sont nécessaires pour la fabrication de tels composants. La protection périphérique est de type Mesa-JTE. La tenue en tension maximale obtenue est de 6 000V indépendamment des surfaces (2, 8 et 24 mm2). Les courants de fuite sont inférieurs à 10 μA. En direct, les diodes ont été caractérisées jusqu'à 60A à une température de 25°C. Les diodes ont été également stressées électriquement. L'évolution des caractéristiques électriques après stress montre une dérive de la tension en direct se traduisant par une diminution de la durée de vie des porteurs d'un facteur 4 et l'augmentation de la résistance de contact d'un facteur 2,5.
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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04573111 , version 1 (13-05-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04573111 , version 1

Citer

Pierre Brosselard, Runhua Huang, Duy Minh Nguyen, Dominique Planson, Lionel Dupuy, et al.. Diode PiN 6500V en SiC-4H. 14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p. ⟨hal-04573111⟩
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