Diode PiN 6500V en SiC-4H
Résumé
Des diodes PiN 6500V en SiC ont été réalisées chez IBS. Huit étapes de photolithographie sont nécessaires pour la fabrication de tels composants. La protection périphérique est de type Mesa-JTE. La tenue en tension maximale obtenue est de 6 000V indépendamment des surfaces (2, 8 et 24 mm2). Les courants de fuite sont inférieurs à 10 μA. En direct, les diodes ont été caractérisées jusqu'à 60A à une température de 25°C. Les diodes ont été également stressées électriquement. L'évolution des caractéristiques électriques après stress montre une dérive de la tension en direct se traduisant par une diminution de la durée de vie des porteurs d'un facteur 4 et l'augmentation de la résistance de contact d'un facteur 2,5.
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