[Invited] Selective area growth of III-V semiconductors using atomic hydrogen during Molecular Beam epiptaxy
Wallart X.
(1, 2)
,
Bucamp A.
(1, 3)
,
Fahed M.
(4)
,
Troadec D.
(4, 5)
,
Patriarche G.
(6)
,
Wang Y.
(7)
,
Ruterana P.
(7)
,
Addad A.
(8)
,
Pastorek M.
(4, 9)
,
Fadjié A.-B.
(4, 9)
,
Wichmann N.
(4, 9)
,
Bollaert S.
(4, 9)
,
Desplanque L.
(4, 2)
1
IEMN -
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 EPIPHY - IEMN - EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
3 EPIPHY - IEMN - EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
4 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
5 CMNF - IEMN - Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN
6 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
7 CIMAP - UMR 6252 - Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique
8 UMET - Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207
9 ANODE - IEMN - Advanced NanOmeter DEvices - IEMN
2 EPIPHY - IEMN - EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
3 EPIPHY - IEMN - EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
4 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
5 CMNF - IEMN - Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN
6 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
7 CIMAP - UMR 6252 - Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique
8 UMET - Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207
9 ANODE - IEMN - Advanced NanOmeter DEvices - IEMN