High quality drift layer thickness scaling in vertical GaN-on-Silicon PIN diodes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

High quality drift layer thickness scaling in vertical GaN-on-Silicon PIN diodes

Résumé

We report on high drift layer quality in vertical PIN diodes grown on silicon substrate combining low Ron = 0.35 mΩ.cm², and high critical electric field of 1.82 MV/cm. The impact of the drift region thickness on the device performances shows an excellent breakdown scaling with 640 V / 820 V for 3.5 µm / 4.5 µm drift layer thickness, favourably comparable to the state-of-the-art.
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Abstract-Youssef HAMDAOUI-wocsdice-exmatec2023.pdf (376.32 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04438189 , version 1 (05-02-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04438189 , version 1

Citer

Youssef Hamdaoui, Idriss Abid, Sondre Michler, Katir Ziouche, F Medjdoub. High quality drift layer thickness scaling in vertical GaN-on-Silicon PIN diodes. 46th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2023), May 2023, Palerme (Italie), Italy. ⟨hal-04438189⟩
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