Dislocation density reduction for vertical GaN devices on 200 mm Si - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Dislocation density reduction for vertical GaN devices on 200 mm Si

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Dates et versions

hal-04436407 , version 1 (03-02-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04436407 , version 1

Citer

Ziyao Gao, Youssef Hamdaoui, Idriss Abid, F Medjdoub, Elke Meissner, et al.. Dislocation density reduction for vertical GaN devices on 200 mm Si. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Nov 2023, Nagoya, Japan. ⟨hal-04436407⟩
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