Dislocation density reduction for vertical GaN devices on 200 mm Si - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Dislocation density reduction for vertical GaN devices on 200 mm Si

Ziyao Gao
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1346539
AIXTRON AG
Youssef Hamdaoui
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN
Idriss Abid
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN
F Medjdoub
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN
Elke Meissner
  • Fonction : Auteur
Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology
Sven Besendörfer
  • Fonction : Auteur
Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology
Michael Heuken
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860807
AIXTRON AG

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]
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Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04436407

Soumis le : samedi 3 février 2024-15:04:25

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

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Dates et versions

hal-04436407 , version 1 (03-02-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04436407 , version 1

Citer

Ziyao Gao, Youssef Hamdaoui, Idriss Abid, F Medjdoub, Elke Meissner, et al.. Dislocation density reduction for vertical GaN devices on 200 mm Si. 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Nov 2023, Nagoya, Japan. ⟨hal-04436407⟩

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